ポリジメチルシランの配向制御と発光特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々はエピタキシャル成長によって配向制御されたPoly(dimethylsilane) (PDMS)蒸着膜を作製し,その発光特性を測定した。蒸着速度を遅くしKBrへき開面基板上に成長した場合,主鎖は基板に垂直に,蒸着速度を速くPoly(tetrafluoroethylene)(PTFE)高配向基板上に成長した場合,主鎖は基板に平行にエピタキシャル成長した。その様子はX線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM)によって観察された。これらの膜のフォトルミネッセンス(PL),PL 励起光(EX),吸収(ABS)スペクトル測定より,膜中での発光は最も長い非局在領域からなされ,その長さは配同化,結晶化により広がることが分かった。また,エピタキシャル成長により膜中の乱雑さが少なくなり,ストークスシフトが小さくなることが観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-07
著者
関連論文
- ポリジメチルシラン蒸着膜の物性と応用
- 溶液移動浮遊帯域法によるBi_2Sr_2CuO_x単結晶の育成 : 超伝導酸化物
- リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合
- リン化処理を用いた化合物半導体表面の安定化
- ポリジメチルシランの配向制御と発光特性
- シリコンM0Sキャパシタの界面準位生成に対する酸化膜電圧およびその極性依存性
- F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
- FN注入によるMOSダイオードの劣化とa.c.コンダクタンス測定
- SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連
- 8a-M-9 CdS単結晶のX線及び光パルス電動(I)
- ポリシラン(有機シリコン高分子)の配向制御と光学特性
- ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価
- イットリウムシリサイド/シリコン接合の作製と電気的特性
- ショットキーバリアトンネルトランジスタ(SBTT)の数値解析
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)
- 11p-H-9 Co_2レーザによるTeのSHGの温度依存性
- a-Si:Hグロ-放電膜のタイムオブフライト測定による評価--モノシラン膜とジシラン膜の比較 (太陽光発電システム)