ソース・ドレインにショットキー障壁接合を持つPoly-Si TFTの作製と評価
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概要
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ソース・ドレインにイットリウムシリサイド/poly-Siショットキー障壁接合を持つpoly-Si TFTの作製とその評価を行った。この構造のTFTはn+領域を持たず自己整合的にソース・ドレインを作製できるのでTFT ゲートアレー作製プロセスを簡略化でき、コストダウンをもたらす。また、我々はイットリウムシリサイドをp形の結晶シリコン(111)面に真空アニールによって作成し、その電圧-電流特性より最適アニール温度を調べた。作製したpoly-Si TFTはnチャンネルトランジスタ特性を示し、TFTフラットパネルディスプレィへの応用の可能性がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
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