高須 靖夫 | (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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概要
関連著者
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松岡 史倫
東芝
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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藤田 繁
ソニー株式会社
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松本 拓治
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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松本 拓治
ソニー株式会社
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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吉田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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太田 和伸
ソニー株式会社
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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山崎 崇
ソニー株式会社
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩本 俊幸
NECエレクトロニクス株式会社
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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木村 泰巳
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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大島 亮介
ソニー株式会社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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深作 克彦
ソニー株式会社
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
ソニー株式会社
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新山 卓
ソニー株式会社
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手塚 友樹
ソニー株式会社
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香川 恵永
ソニー株式会社
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長岡 弘二郎
ソニー株式会社
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村松 諭
NECエレクトロニクス株式会社
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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三本木 省二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉田 健司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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斉藤 正樹
ソニー株式会社
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榎本 容幸
ソニー株式会社
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成瀬 宏
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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桑田 孝明
NECエレクトロニクス株式会社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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藤巻 剛
(株)東芝セミコンダクター社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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大島 享介
ソニー株式会社
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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村松 諭
NEC Electronics Corporation
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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成瀬 宏
東芝
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相川 恒
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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三本木 省二
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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宮下 桂
東芝
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ARNAUD F.
STMicroelectronics
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ELLER M.
Infineon Technologies
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Narayanan V.
Ibm Semiconductor Research & Development Center (srdc) Research Division T. J. Watson Research C
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Kohler S.
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Kaste E.
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Celik M.
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Li W.
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Na M-H.
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Sampson R.
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Divakaruni R.
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Narayanan V.
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著作論文
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))