安田 有里 | NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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概要
関連著者
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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安田 有里
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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今井 清隆
NEC、システムデバイス研究所
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山本 一郎
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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君塚 直彦
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
著作論文
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))