4p-YD-12 Bi系銅酸化物の変調構造緩和による金属絶縁体転移
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1994-08-16
著者
関連論文
- LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 27a-ZK-8 Sr_v_nO_系における^V核のNMR
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 30a-PS-35 Au/SrTiO_3界面のX線電子分光
- 4p-YD-12 Bi系銅酸化物の変調構造緩和による金属絶縁体転移
- 1a-J-3 Sr_La_xVO_4の電子状態
- 新しい酸化物高温超電導体の探索
- 29p-PS-81 新しいSr-V-O層状酸化物の構造と磁気特性
- 28a-APS-15 Sr-V-O層状ペロブスカイトの構造と磁気異常
- 24a-K-4 Sr_3V_2O_7の金属絶縁体転移
- LnBa_2Cu_3O_における希土類元素の混合効果
- 粉末および焼結体YBa_2Cu_3O_の高温における相安定性と微細構造変化
- Bi_Pb_xSr_2CaCu_2O_及びBi_Pb_ySr_2YCu_2O_
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造