Bitline/Plateline Reference-Level-Precharge Scheme for High-Density ChainFeRAM(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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ChainFeRAMは、高速・高密度を実現する強誘電体メモリとして有望である。本論文はChainFeRAMのための、新しい読出し動作方式を提案する。提案する方式では、(1)待機時:ビット線とプレート線をVssでは無くリファレンス電位にプリチャージ、(2)動作時:ダミーCapを用いて読出しビット線をPull-Downし、プレート線をPull-upすることにより、選択セルキャパシタに電圧を印加してデータを読み出す。提案方式により、ChainFeRAMの問題であったセルトランジスタの信頼性低下と信号量のロスを抑えられる。又、アクセス速度を低下させる事無くアレイ動作電流を10%低減出来た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
白武 慎一郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
穂谷 克彦
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
白武 慎一郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
及川 恒平
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター新規メモリ設計技術開発部
-
穂谷 克彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター新規メモリ設計技術開発部
-
Joachim H.O.
(株)インフィニオンテクノロジーズジャパン
-
ヨアヒム ハンス・オリバー
(株)インフィニオンテクノロジーズジャパン
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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