NANDフラッシュメモリの動向
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
大容量ファイルメモリに適した不揮発性半導体メモリとしてNANDセルを用いたフラッシュメモリの研究、開発、製品化が進められてきた。以下、これまでの開発動向、NANDフラッシュメモリの特徴、今後の研究開発の課題などについて紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
関連論文
- 5. 大容量データストレージ技術 5-4 大容量フラッシュメモリ (大規模データ処理を支えるエレクトロニクス : マルチメディア世界の到来に向けて)
- 180ns/Byte高速書き込み可能な120mm^2 64Mビット NAND EEPROM
- フラッシュメモリセルアレイ用の新しい評価回路
- フラッシュEEPROMセルの新しいしきい値電圧分布測定方法
- NANDフラッシュメモリの動向
- 可変リファレンス回路とダブルワード線パルス回路を搭載した3V動作1T1C型1Mビット強誘電体メモリ
- 実用化が始まったFeRAMの最新動向