ビット線直接読み出し方式を用いたチャネル消去型1.8V単一電源32MビットNORフラッシュメモリ
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概要
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本デバイスでは0.25μm CMOS技術とチャネル消去方式を採用することで最小セルサイズ0.49μm^2を実現した。チャネル消去方式に伴った消去後のワード線負電位とウェル正電位の放電時の問題点とそれを解決するブロックデコーダ回路の説明を行う。また電源電圧1.8Vにおいて高速アクセス(90ns)を実現するためワード線昇圧Pool方式とビット線直接読み出し方式を採用したので説明する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-14
著者
-
渡辺 寿治
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡部 浩
(株)東芝セミコンダクタ社
-
森 誠一
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮葉 武史
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
志賀 仁
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
磯辺 和亜樹
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
山田 誠司
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
高野 芳徳
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
梅沢 明
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
田浦 忠行
東芝 セミコンダクター社 メモリ事業部
-
志賀 仁
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
松井 法晴
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渡部 浩
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
磯辺 和亜樹
東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
北村 章太
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
斎藤 雅伸
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渡辺 寿治
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渥美 滋
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
-
田浦 忠行
(株)東芝セミコンダクタ社
-
高野 芳徳
(株)東芝セミコンダクタ社
-
渥美 滋
(株)東芝セミコンダクタ社
-
梅沢 明
(株)東芝セミコンダクタ社
-
宮葉 武史
東芝マイクロエレクトロニクス 開発技術部
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