NOR型フラッシュメモリの消去分布縮小を実現するサンプリングウィークプログラム方式
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概要
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NOR型フラッシュメモリにおいて、1.5V以下の電源電圧で高速アクセスを実現するためには消去セルのしきい値分布(消去分布)を狭めることが重要である。分布幅を1V以下にするにはビット毎の過消去ベリファイとウィークプログラムが必須であるが、ホットエレクトロン書き込み特性はばらつきが大きい。サンプリングウィークプログラム方式を使用し書き込み時の条件に応じてバイアスを最適化することでこの問題を解決することができる。セル部の面積を増やすことなく1秒で0.5V幅の消去分布を実現することも可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
森 誠一
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮葉 武史
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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志賀 仁
株式会社 東芝 セミコンダクター社
-
高野 芳徳
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
梅沢 明
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
志賀 仁
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
北村 章太
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
斎藤 雅伸
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渥美 滋
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
丹沢 徹
(株)東芝セミコンダクタ社
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田浦 忠行
(株)東芝セミコンダクタ社
-
高野 芳徳
(株)東芝セミコンダクタ社
-
田浦 忠行
東芝セミコンダクター社 メモリ事業部
-
渥美 滋
(株)東芝セミコンダクタ社
-
梅沢 明
(株)東芝セミコンダクタ社
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宮葉 武史
東芝マイクロエレクトロニクス 開発技術部
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