Shallow Trench Isolation (STI)を用いた高密度・多値NANDフラッシュメモリ
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概要
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近年、フラッシュメモリは、solid-state camera、PC card、携帯電話等の市場が開け、将来も主力のメモリになると期待されている。しかし、さらに市場を拡大して行くためには、幾つかの課題がある。低ビットコスト化、高信頼化、低消費電力化などである。これらを同時に満たすセルとして、これまで、NAND型フラッシュメモリを提案し、開発してきた。この発表では、Shallow Trench Isolation(STI)を用い、さらにメモリセルサイズを縮小し、加えて、セルしきい値分布巾を広く設定でき、多値論理セルが可能となるメモリセル技術(Side-wall Transfer-Transistor cell; SWATT cell)について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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佐藤 信司
(株)東芝マイクロエレクトロニックス技術研究所
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渡部 浩
(株)東芝セミコンダクタ社
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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白田 理一郎
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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清水 和裕
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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竹内 祐司
東芝・セミコンダクター社メモリ事業部
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白田 理一郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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有留 誠一
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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清水 和裕
株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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渡部 浩
(株)東芝マイクロエレクトロニックス技術研究所
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竹内 祐司
(株)東芝マイクロエレクトロニックス技術研究所
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清水 和裕
(株)東芝マイクロエレクトロニックス技術研究所
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Hemink G.
フィリップス
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白田 理一郎
(株)東芝マイクロエレクトロニックス技術研究所
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有留 誠一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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