本田 健太郎 | 東京大学電気系工学専攻
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概要
関連著者
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本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
東京大学
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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宮野 信治
東芝
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
著作論文
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (集積回路)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (シリコン材料・デバイス)
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制 (集積回路)
- C-12-30 20V有機CMOSオペアンプにおけるフローティングゲートを利用したプロセスばらつき補正技術の提案と実証(C-12.集積回路,一般セッション)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上