酒井 滋樹 | 独立行政法人 産業技術総合研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 独立行政法人 産業技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 堀内 健史

  (独)産業技術総合研究所

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 堀内 健史

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 高橋 光恵

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 堀内 健史

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 酒井 滋樹

  独立行政法人 産業技術総合研究所

著作論文

• HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係

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