単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD (シリコン材料・デバイス)

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概要

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• 2010-08-26

著者

• 宮地 幸祐

  東京大学生産技術研究所

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