和田 政春 | (株)東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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和田 政春
(株)東芝セミコンダクター社
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宮野 信治
東芝
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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芳賀 亮
(株)東芝
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矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐藤 勝彦
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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佐藤 勝彦
(株)東芝
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沼田 健二
東芝セミコンダクター社
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北城 岳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
著作論文
- リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ : メモリジェネレータを用いて2112通りの構成を生成可能な0.35um混載DRAM
- メモリジェネレータ対応用DRAMマクロ
- 同期型高速DRAMの新しい書き込み方式
- 1.6Gバイト/秒8MビットEmbedded DRAM
- メモリジェネレ-タを用いて2,112通りの構成を生成できる0.35μm混載DRAM