和田 修 | (株)東芝
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概要
関連著者
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和田 修
(株)東芝
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行川 敏正
(株)東芝
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福田 良
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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福田 良
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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宮野 信治
東芝
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宮野 信治
半導体理工学研究センター
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和田 修
株式会社東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝 Soc研究開発センター
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宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
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芳賀 亮
(株)東芝
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沼田 健二
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伊藤 洋
(株)東芝セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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行川 敏正
株式会社東芝 セミコンダクター社
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沼田 健二
東芝セミコンダクター社
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松藤 謙介
(株)東芝 半導体研究開発センター
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和田 修
(株)東芝 半導体研究開発センター
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中野 浩明
(株)東芝 システムLSI事業部
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大塚 伸朗
(株)東芝 システムLSI事業部
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行川 敏正
(株)東芝 半導体研究開発センター
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伊藤 洋
(株)東芝 半導体研究開発センター
著作論文
- データ線シフトリダンダンシ方式を用いたLogic混載DRAMマクロ
- 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))