ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
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概要
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- 2012-04-16
著者
-
桜井 貴康
東京大学
-
鈴木 利一
(株)半導体理工学研究センター
-
山本 安衛
(株)半導体理工学研究センター
-
森脇 真一
(株)半導体理工学研究センター
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
宮野 信治
(株)半導体理工学研究センター
-
川澄 篤
(株)半導体理工学研究センター
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