大容量DRAMのウェハーバーンイン技術

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概要

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• 簡単で実用的なウェハーバーンイン(WBI)技術を開発した。ウェハーバーンイン(WBI)技術とは、ウェハー状態でDRAMの信頼性不良を効果的にスクリーニングする。その結果、より信頼性の高い所謂"Known-good"RAM(die)が得られる。WBIで発生した不良の多くは、スペアーロウ・カラムで置き換えることができ、量産での歩留まり向上となる。また、一般的なウェハー・プローバーとマルチ・チップ・プローブ・カードを使うことにより、工程時間の大幅な増加無しにWBIの要求を満たすことができる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-05-26

著者

• 古山 透

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 片岡 満

  東芝メモリー事業部

• 野路 宏行

  東芝マイクロエレクトロニクス

• 串山 夏樹

  東芝半導体デバイス技術研究所

• 吉田 透

  東芝メモリー事業部

• 土居 慎二

  東芝メモリー事業部

• 江澤 弘和

  東芝メモリー事業部

• 渡辺 徹

  東芝メモリー事業部

• 江澤 弘和

  東芝

• 野路 宏行

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス

• 串山 夏樹

  (株)東芝メモリー事業部

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