準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
sub-100nmレベルの極微細MOSFETは,試作方法,動作環境によりバリスティックな動作に近づく可能性がある.しかし,実在のMOSFETの常温の電流は,バリスティックMOSFETの与えるMOSFET構造の最大電流値の,約30〜40%程度の値に留まっている.バリスティック/準バリスティックMOSFETに対して,モンテカルロ手法に基づくキャリヤ輸送のシミュレーションをおこない,最低サブバンドのみを用いた有効単-サブバンド近似とマルチサブバンド構造を考慮したモデルとの比較,バリスティックな場合とフォノン散乱を考慮した場合の比較など,各種モデルの比較検討を行なった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-23
著者
関連論文
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- A-1-4 画像圧縮用ニューラルネットワークの研究 : υ-MOSを用いた画像圧縮回路(A-1. 回路とシステム)
- フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 新しいメモリー・デバイス
- 原子鎖の電子波透過スペクトル
- 原子鎖の電子波透過スペクトル