28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-03-28
著者
関連論文
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
- 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- デバイス・シミュレーションとその物理
- 不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響
- Influence of Thermal Noise on Drain Current in Very Small Si-MOSFETs
- Influence of Intrinsic Current Fluctuation in Very Small Si-MOSFETs
- Current Fluctuation Characteristic of Sub-0.1 Micron Device Structures:A Monte Carlo Study
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 微細デバイスにおける電流ゆらぎシミュレーションのデバイス・サイズ依存性
- 28p-G-2 極微細デバイス構造のもとでの電流ゆらぎのシミュレーション解析II
- 準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- A-1-4 画像圧縮用ニューラルネットワークの研究 : υ-MOSを用いた画像圧縮回路(A-1. 回路とシステム)
- Probability Distribution of Threshold Voltage Fluctuations in Metal-OXide-Semiconductor Field-Effect-Transistors : Semiconductors
- フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 新しいメモリー・デバイス
- 原子鎖の電子波透過スペクトル
- 原子鎖の電子波透過スペクトル