C-2-48 ウェハレベルパッケージ内蔵高性能オンチップインダクタ(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
岡田 健一
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
伊藤 浩之
東京工業大学精密工学研究所
-
伊藤 達也
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
益 一哉
東京工業大学
-
佐藤 正和
株式会社フジクラ電子デバイス研究所
-
阿部 博史
株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
-
伊藤 達也
株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
-
岡田 健一
東京工業大学
-
菅原 弘雄
東京工業大学精密工学研究所
-
糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
-
糸井 和久
株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部
-
糸井 和久
(株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部
-
糸井 和久
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
伊藤 浩之
東京工業大学ソリューション研究機構
-
菅原 弘雄
東京工業大学統合研究院
-
伊藤 達也
株式会社フジクラ電子デバイス研究所
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