伊藤 達也 | (株)フジクラ電子デバイス研究所

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概要

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• (株)フジクラ電子デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 伊藤 達也

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 岡田 健一

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 益 一哉

  東京工業大学

• 岡田 健一

  東京工業大学

• 伊藤 浩之

  東京工業大学精密工学研究所

• 岡田 健一

  Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn

• 伊藤 浩之

  東京工業大学ソリューション研究機構

• 山内 良三

  (株)フジクラ

• 山内 良三

  (株)フジクラ光エレクトロニクス研究所

• 山内 良三

  フジクラ

• 相沢 卓也

  株式会社フジクラ 光電子技術研究所

• 山内 良三

  フジクラ 光量子技研

• 伊藤 浩之

  東京工業大学

• 佐藤 正和

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 畠山 英樹

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 山内 良三

  (株)フジクラ光電子技術研究所

• 相沢 卓也

  (株)フジクラ光電子技術研究所

• 伊藤 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 糸井 和久

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 糸井 和久

  (株)フジクラ 電子デバイス研究所 マイクロデバイス開発部

• 糸井 和久

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 大橋 一磨

  東京工業大学統合研究院

• 佐藤 正和

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 井上 享

  住友電気工業株式会社

• 伊藤 達也

  住友電気工業株式会社横浜研究所

• 阿部 博史

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 井上 享

  住友電気工業(株)光通信研究所

• 井上 亨

  住友電気工業株式会社

• 井上 享

  住友電気工業(株)横浜研究所

• 佐渡島 進

  東京工業大学統合研究院

• 木村 実人

  東京工業大学統合研究院

• 糸井 和久

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 山内 拓弥

  東京工業大学統合研究院

• 伊藤 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 岩島 徹

  住友電気工業株式会社横浜研究所

• 茂原 政一

  住友電気工業株式会社横浜研究所

• 服部 保次

  住友電気工業株式会社横浜研究所

• 重松 昌行

  住友電気工業株式会社

• 小林 由佳

  東京工業大学統合研究院

• 小澤 直行

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 西村 正幸

  住友電気工業株式会社

• 金森 弘雄

  住友電気工業株式会社

• 西村 正幸

  住友電気工業 横浜研

• 上道 雄介

  (株)フジクラ電子デバイス研究所

• 山内 良三

  株式会社フジクラ光エレクトロニクス研究所光通信研究部

• 山内 良三

  株式会社フジクラ

• 岩島 徹

  住友電気工業株式会社

• 福田 聡

  東京工業大学統合研究院

• 石井 隆宏

  東京工業大学統合研究院

• 峰山 亜希子

  東京工業大学統合研究院

• 相沢 卓也

  株式会社フジクラ

• 菅原 弘雄

  東京工業大学精密工学研究所

• 上道 雄介

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 畠山 英樹

  東京工業大学統合研究院

• 伊籐 雄作

  東京工業大学統合研究院

• 伊籐 達也

  株式会社フジクラ電子デバイス研究所

• 茂原 政一

  住友電気工業 横浜研

• 清田 淳紀

  東京工業大学統合研究院

• 杉田 英之

  東京工業大学統合研究院

• 阿部 博史

  (株)フジクラ電子デバイス研究所マイクロデバイス開発部

• 川合 茂一

  三洋電機株式会社

• 斉藤 豊

  株式会社タキオン

• 伊藤 達也

  ((株)フジクラ電子デバイス研究所

• 伊藤 雄作

  東京工業大学統合研究院

• 金森 弘雄

  住友電気工業

• 菅原 弘雄

  東京工業大学統合研究院

• 上道 雄介

  株式会社フジクラ光電子技術研究所

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著作論文

• C-12-64 WLP技術を用いた低雑音増幅器の検討(C-12. 集積回路C(増幅回路),一般セッション)
• 温度補償実装ファイバグレーティングの長期信頼性
• ファイバグレーティングを用いたWDMマルチドロップシステム用光タップのアナログ伝送特性
• 外部プローブ光によるファイバグレーティングの構造測定
• 高Q値WLPインダクタおよびその5.8GHz帯LC型電圧制御発振器への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
• C-12-45 WLCSP技術を利用したオンチップ伝送線路配線の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• WLP技術によるオンチップ受動部品の形成
• C-2-77 ウエハレベルパッケージ内蔵オンチップマイクロ波アンテナ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-48 ウェハレベルパッケージ内蔵高性能オンチップインダクタ(C-2.マイクロ波B(受動デバイス))
• C-12-18 WLP技術を用いた低位相雑音なCMOS電圧制御発振器(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
• C-12-35 WLCSP技術を用いた高FoM電圧制御発振器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-28 WLCSP技術を用いた可変電力増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• C-12-27 WLCSP技術を用いた広帯域低雑音増幅器の検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
• A-3-18 指向性アンテナを用いたパッケージ内無線通信(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-2-48 ワンチップ無線通信回路に向けたWL-CSP方向性結合器の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-61 ウエハレベルCSP技術を用いた方向性結合器(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)

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