6.CMOS集積回路とMEMSの融合(<特集>エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
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概要
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インダクタ・キャパシタ,アクチュエータ,センサとしてMEMSデバイス技術に注目した.機械的構造を半導体製造技術で実現することにより,小形で高周波特性に優れるパッシブの可変素子や加速度,圧力などの力のセンシング,制御が可能になる.多様性に富んだ超小形の次世代システムの実現には,親和性のあるMEMS技術とCMOS集積回路技術の融合が有望と考えられる.そのためには,更なる技術開発はもちろん,異種機能デバイスを統合設計するための設計環境の構築が今後重要度を増すであろう.
- 2010-11-01
著者
-
石原 昇
東京工業大学総合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
天川 修平
東京工業大学
-
天川 修平
広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
-
益 一哉
東京工業大学統合大学院
-
天川 修平
東京工業大学統合研究院
-
石原 昇
東京工業大学
-
天川 修平
広島大学大学院先端物質科学研究科
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