オンチップRF可変インダクタの開発

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概要

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MEMS技術を応用し、GHz帯で使用可能であり、且つLSI内部に作製可能な寸法の可変インダクタを提案、作製したのでその特性を示す。材料として高い柔軟性を持つ薄膜余属ガラスを用いてインダクタを作製することにより、インダクタの構造を変化させインダクタンスを変化させることが可能となる。作製されたインダクタは2GHzにおいてインダクタンスが3.64〜3.74nH、Q値は1.9である。インダクタンスの変化の割合は約3%である。作製されたインダクタは変化の割合やQ値が低いが様々な改善が可能であることをシミュレーションで確認した。Q値については抵抗率の低い金属でメッキをすることで向上させることが可能である。例えば、金のメッキをした場合、2GHzにおいてQ値は6.9まで向上する。また、インダクタの構造はよりシンプルに改善することができる。構造を改善することでインダクタンスの変化の割合は10%まで向上する。
2003-01-31

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