SRAM回路の構造的対称性を考慮した2段階学習型重点的サンプリング(物理設計,システム設計及び一般)
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概要
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微細化にともなうトランジスタの製造ばらつきの相対的増大により,SRAMの動作マージンの減少が深刻な問題となってきている.SRAMセルの不良率を計算するために,従来,モンテカルロ法による回路シミュレーションが行われている.しかし,動作しないSRAMセルの発生頻度が小さいことから,意味のある精度を得るまでに多大な計算時間を要する課題がある.本稿では,SRAMの不良率を高速かつ正確に見積ることを目的として,SRAM回路の構造的対称性を考慮した2段階の学習を通じた重点的サンプリング法を提案する.提案手法では,回路の対称性に応じて分布を調整した一様分布を用いて適切な中心値の移動位置を決め,中心値移動による重点的サンプリングを行う.提案手法により,モンテカルロ解析による計算試行回数を2桁から5桁短縮できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-13
著者
-
佐藤 高史
東京工業大学統合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
上薗 巧
東京工業大学統合研究院
-
萩原 汐
東京工業大学統合研究院
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
-
伊達 貴徳
東京工業大学統合研究院
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科
-
上薗 巧
京都大学大学院情報学研究科:(独)日本学術振興会
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