プロセスばらつき推定に基づくIDDQテスト良品判定基準決定の試み(ばらつき・フィールドテスト,VLSI設計とテスト及び一般)
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概要
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プロセスばらつきの影響で回路が仕様を満たさなくなるパラメトリック不良の増大が懸念されている.パラメトリック不良に対するテストは広く遅延故障に対して行われてきているが,リーク故障についての提案は少ない.本稿では,パラメトリック不良に対応できるリーク故障テストと、その良品/不良品判定のしきい値決定手法を提案する.提案手法ではまず,IDDQ測定値からチップのプロセスばらつきを推定する.ばらつき推定結果に基づいてそのチップのテストパタン毎のリーク電流分布と判定基準値を計算し,測定値がこれを超えれば不良とみなす.シミュレーションにより提案手法を評価し,その効果と課題について示す.
- 2012-02-06
著者
-
新谷 道広
(株)半導体理工学研究センター
-
佐藤 高史
東京工業大学統合研究院
-
新谷 道広
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科
-
新谷 道広
京都大学大学院情報学研究科
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