パラメータ推定に基づくIDDQ電流しきい値決定のオンラインテストに向けた高速化(ディペンダブル(1),システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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IDDQテスト時の歩留り損失を抑えつつ故障の見逃しを低減するため,測定したIDDQシグネチャを用いてデバイスパラメータを推定し,その結果に基づいて電流しきい値を決定するIDDQテスト手法が提案されている.従来手法は,パラメータ推定処理を焼きなまし法の中で繰り返し実行するために長い計算時間を要し,デスク上での良品/不良品判定が困難である.本稿ではパラメータ推定に基づく電流しきい値決定処理を実時間で実行することを目指し,その高速化を行う.提案手法では,まず測定IDDQシグネチャと最も相関が高いリファレンスIDDQシグネチャを導出する.リファレンスIDDQシグネチャとの相関係数を焼きなまし法のコストとすることで,計算時間の削減が可能である見通しを得た.シミュレーションによる評価では,従来手法に対し計算時間を1/857に短縮した.さらに,ウェハ上のプロセスばらつきを想定した実験では,従来手法, Neighbor Nearest Residual (NNR)法の2手法と比較し,テスト精度においても優位であることを示す.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-25
著者
-
新谷 道広
(株)半導体理工学研究センター
-
佐藤 高史
東京工業大学統合研究院
-
新谷 道広
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科
-
新谷 道広
京都大学大学院情報学研究科
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