超球の一部を用いた歩留り推定における不良領域の効率的探索手法(製造性考慮設計,システムオンシリコンを支える設計技術)
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概要
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SRAMセルの不良率を推定するため,従来よりMonte Carlo法による解析が行われている.しかし,ばらつきによって動作しないSRAMセルの発生頻度が小さいことにより,不良率推定に多大な計算時間を要している.本稿では,平均値移動重点的サンプリングで用いる移動べクトルを,効率よくまた適切に決定する手法を提案する.提案手法では,まず球殻形状の探索領域を段階的に拡大し,その後歩留まりへの寄与が大きい領域に向かって球殻の半径を領域限定しながら縮小する.回路構造の事前知識なしに,効率的かつ安定に平均値移動量を決定でき,また,複数の正規分布を用いた重点的サンプリングへも適用可能となる.SRAMセルの読出し,書込み解析に対する複数回の実験より,不良率10^<-10>以下の回路について,従来のMonte Carlo法と比較し計算試行回数を10^9倍以上削減できることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-03-03
著者
-
佐藤 高史
東京工業大学統合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
益 一哉
東京工業大学統合大学院
-
萩原 汐
東京工業大学統合研究院
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻
-
伊達 貴徳
東京工業大学統合研究院
-
佐藤 高史
京都大学大学院情報学研究科
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