ウェーハレベルパッケージ技術による高周波インダクタの開発と回路応用(<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
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概要
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半導体パッケージング技術であるウェーハレベルパッケージ(Wafer-Level Packaging;WLP)を用いて,高いQ値を有するインダクタ(WLPインダクタ)を開発した.WLPで用いる厚膜Cu配線と厚膜絶縁樹脂を利用してインダクタを形成することで,配線抵抗や基板損失を低減し,従来のCMOSプロセスによるオンチップインダクタに比べ4倍以上のQ値を実現した.また,WLPインダクタのRF CMOS回路への応用として,WLPインダクタを用いた電圧制御発振器(Voltage Controlled Oscillator;VCO),及び低雑音増幅器(Low Noise Amplifier;LNA)を試作,評価した.その結果,CMOSプロセスによるオンチップインダクタを用いた場合に比べ,VCOでは位相雑音が6.4dB改善し,LNAでは雑音指数が0.9dB,電圧利得が2.2dB,それぞれ改善した.これらは回路におけるインダクタのQ値が改善したことによるものであり,WLPインダクタがRF CMOS回路の性能向上に有効であることを明らかにした.
- 2010-11-01
著者
-
石原 昇
東京工業大学総合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
天川 修平
東京工業大学
-
畠山 英樹
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
上道 雄介
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
益 一哉
東京工業大学統合大学院
-
天川 修平
東京工業大学統合研究院
-
石原 昇
東京工業大学
-
上道 雄介
(株)フジクラ光電子技術研究所
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