高性能パッシブ素子の開発と回路応用(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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本論文では、ウエハレベルパッケージ(WLP)技術を用いた高性能パッシブ素子のRF CMOS回路への応用を提案する。CMOSプロセスによるインダクタではQ値は15以下であるのに対し、WLPプロセスを用いることによりQ値が30以上のインダクタを実現することができる。WLPプロセスにより形成したインダクタを用いた電圧制御発振器、および低雑音増幅器の性能を評価し、WLP技術によるインダクタを用いることにより、RF CMOS回路の性能を改善できることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-02-02
著者
-
石原 昇
東京工業大学総合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
畠山 英樹
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
上道 雄介
(株)フジクラ電子デバイス研究所
-
畠山 英樹
株式会社フジクラ電子デバイス研究所
-
上道 雄介
株式会社フジクラ電子デバイス研究所
-
石原 昇
東京工業大学
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