マルチ・フィジックス統合設計のための高効率電磁界シミュレーション解析技術(半導体材料・デバイス)
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概要
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携帯電話製品開発においては,開発設計の生産性向上のため,電気系(電磁界),機構系(衝撃,応力),熱・流体系シミュレーションなどを統合したマルチ・フィジックスシミュレーションが望まれる.我々は,各シミュレーション段階において,前段の結果を次段の初期条件に相互に反映する漸近的マルチ・フィジックス化方法を対象として,各シミュレーションソルバの処理負荷を最小化しつつ解析精度を保つためのシミュレーションモデルの簡易化手法の検討を行った.本論文では,解析TAT(Turnaround Time)が長くかつ高精度が求められる電磁界シミュレーション解析を対象として,高効率化(短TAT化),高精度化の具体的手法(大規模並列電磁界解析環境の構築技術,GHz帯に及ぶ高周波領域での表皮効果,誘電体損を考慮した高精度解析技術,メッシュ削減技術を用いた構成法),及び伝送線路解析,アンテナ解析,EMI(Electromagnetic Interference)/ESD(Electrostatic Discharge)解析に具体的に適用して得られた効果(解析TAT:1/40,高周波特性の解析精度:10%以内)を示し,提案する高効率化技術が統合設計環境を構築していく上で実践に活用できる有効な技術であることを示す.
- 2011-08-01
著者
-
石原 昇
東京工業大学総合研究院
-
益 一哉
東京工業大学
-
益 一哉
東京工業大学統合大学院
-
山澤 昌夫
富士通株式会社モバイルフォン事業本部
-
佐相 秀幸
富士通株式会社モバイルフォン事業本部
-
岩渕 敦
富士通株式会社モバイルフォン事業本部
-
佐相 秀幸
富士通株式会社
-
角井 和久
富士通株式会社テクノロジ本部第二テクノロジ統括部
-
石原 昇
東京工業大学
-
角井 和久
富士通株式会社モバイルフォン事業本部
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