NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
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概要
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NMOSとPMOSの基板バイアスを個別制御するSRAMモジュールを提案した。このSRAMモジュールでは、メモリセルのリーク電流制御回路を用いて、SRAMメモリセル中のリーク電流をNMOSとPMOSに分解し、それぞれのV_<th>測定を可能とした。提案したSRAMモジュールを65nm LPプロセスで0.51μm^2のSRAMセルを用いて試作し、3σのシステマティックばらつきを考慮しても1.0Vで動作することを確認した。
- 2008-04-10
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