20aWD-2 金原子細線の電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
広瀬 喜久治
阪大工
-
小野 倫也
阪大工
-
稲垣 耕司
阪大工
-
塚本 茂
科技機構:物材機構
-
稲垣 耕司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
藤本 義隆
東工大理
-
藤本 義隆
阪大工
-
塚本 茂
阪大工
関連論文
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20pGS-8 窒素ドープされたカーボンナノチューブのエネルギー論と電子特性 : 不純物密度の観点から(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pXB-5 シリコンとゲルマニウムの四配位新物質(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究 : 最適加工条件の探索
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報) : 原子像による加工表面の評価
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 26pRJ-12 第一原理計算によるSi原子鎖へのPドーピングの効果(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSB-27 PドープされたSi原子細線の電子状態と電気伝導特性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-17 C_単分子層膜中での分子間結合の局所制御(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-6 第一原理計算によるC_分子の重合・脱重合反応過程の解明(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-5 STM探針によるC_分子の局所重合および脱重合反応の制御(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pPSB-61 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析
- 20aTF-1 表面原子エッチングプロセスにおけるバックボンド弱体化機構のBond order DOSによる解析
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- 数値制御EEM(Elastic Emission Machining)加工システムの開発 : nmオーダでの加工精度の評価
- 29pPSA-39 水素終端化Si表面とZrO_2微粒子の水中での接触過程の第一原理計算による解析
- 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
- 24aPS-49 第一原理分子動力学によるElastic Emission Machiningにおける表面反応の材料依存性の解析I : Si(001)表面とSiO_2, ZrO_2, TiO_2微粒子間の反応
- 24aPS-4 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- 26aPS-6 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- 25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
- 15aPS-74 第一原理計算によるアルカリ金属ナノワイヤーの電気伝導特性(領域 9)
- 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machinig)加工機構の解明 : Si(001)表面とSiO_2微粒子の結合過程および分離過程の解明
- 20aPS-43 C_単層膜にドープされたアルカリ金属の安定性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-13 第一原理計算による有限電場中のC_分子と薄膜の電子状態(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-4 Si(111)4×1-In表面上銀ストライプ構造のSTM観察における電子状態の影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-3 Si(111)-4×1-In上に低温成長したAg薄膜のストライプ構造とその膜厚依存性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-9 窒素ドープカーボンナノチューブにおける水素吸着の影響 : エネルギー論と電子構造(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
- 25aYE-3 三量体ピリジン型欠陥をもつカーボンナノチューブの構造安定性と電子構造(ナノチューブ構造,領域7,分子性固体・有機導体)
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第3報) : 形状修正加工システムの高精度化
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 27pPSA-50 電極に挟まれたナノ構造の電気伝導特性の第一原理計算(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 半無限表面の電子状態の計算とそれに基づく光反射率スペクトルの解析
- 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
- 31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
- 28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
- 30pWP-1 ピーナッツ型C_分子の電子状態とその一次元鎖の電気伝導特性II(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
- 20pYE-11 ピーナッツ型 C_ 分子の電子状態とその一次元鎖の電気伝導特性
- 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
- 28pPSB-52 金原子細線の電気伝導特性
- ナノ構造の電気伝導特性
- 20aWD-2 金原子細線の電気伝導
- 20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 25pWD-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の決定 其の弐
- 24pPSA-29 スラブモデルを用いない半無限系における表面電子状態計算手法の開発
- 24aPS-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の法定
- 6p-B-2 STM-XMA法における電界中の電子状態計算
- 19pPSB-20 半無限モデルを用いたシリコン表面電子状態計算
- 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
- ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 : 装置の開発と加工表面評価
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pYD-11 螺旋周期境界条件を用いた実空間差分法による第一原理電子状態計算
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pHG-2 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(27pHG 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pPSB-49 第一原理計算によるナノチューブの電気伝導特性の予測
- 21aHA-5 Cu(111)表面に形成されるオリゴチオフェンの鎖状構造と電子状態(21aHA 表面界面構造(有機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pTL-1 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン(23pTL 領域4,領域8,領域9,領域11,領域12合同シンポジウム:ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27aXK-11 Ge(001)表面欠陥の散乱ポテンシャルの第一原理計算(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSB-55 ハロゲンガスを用いたSi表面のプラズマエッチングにおける第一原理分子動力学シミュレーション : Oラジカルによるハロゲン生成促進効果の解析(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-62 第一原理計算による電界下でのナノ構造と電気伝導(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSP-12 リチウム内包フラーレンの物性研究(表面ナノ構造量子物性,領域9)
- 6pPSB-61 金原子細線と電極構造に関わる電気伝導特性(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-47 EEM (Elastic Emission Macining)における表面原子除去能率の考察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-10 金細線の電気伝導特性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))