21pYE-3 Si(111)-4×1-In上に低温成長したAg薄膜のストライプ構造とその膜厚依存性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 内橋 隆

  物材機構

• 中山 知信

  物材機構

• 塚本 茂

  科技機構:物材機構

• 塚本 茂

  物材機構

• 大渕 千種

  JST

• 内橋 隆

  JST

• 中山 知信

  JST

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