30aPS-4 Si(111)4×1-In表面上銀ストライプ構造のSTM観察における電子状態の影響(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 内橋 隆

  物材機構

• 中山 知信

  物材機構

• 塚本 茂

  科技機構:物材機構

• 塚本 茂

  物材機構

• 大渕 千種

  JST

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