25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-03-10
著者
-
広瀬 喜久治
阪大工
-
杉山 和久
阪大工
-
森 勇藏
阪大工
-
稲垣 耕司
阪大工
-
杉山 和久
高知高専
-
遠藤 勝義
阪大工
-
岡田 浩巳
阪大工
-
奥西 亮介
阪大工
-
岡田 浩巳
シリコンテクノロジー(株)
-
岡田 浩巳
阪大・工
関連論文
- 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- EEM (elastic emission machining)の基礎研究 (第1報) : 極微小量弾性破壊の概念とその可能性
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- EMM(Elastic Emission Machining)における表面原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第2報) -ノズル噴射流れを利用した加工ヘッドの開発-
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第1報) -超純水静圧軸受けを用いた数値制御ステージシステムの開発-
- 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究 : 最適加工条件の探索
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- 大気中で使用する時のHe-Neレーザ光の特性
- シンクロトロン放射光用ミラーの超精密形状測定装置の開発
- 28pPSB-61 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析
- 20aTF-1 表面原子エッチングプロセスにおけるバックボンド弱体化機構のBond order DOSによる解析
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- 数値制御EEM(Elastic Emission Machining)加工システムの開発 : nmオーダでの加工精度の評価
- 29pPSA-39 水素終端化Si表面とZrO_2微粒子の水中での接触過程の第一原理計算による解析
- SPV(Surface Photo-voltage)スペクトロスコピーによる超精密加工表面評価法の開発
- 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
- 24aPS-49 第一原理分子動力学によるElastic Emission Machiningにおける表面反応の材料依存性の解析I : Si(001)表面とSiO_2, ZrO_2, TiO_2微粒子間の反応
- 24aPS-4 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第1報) : nmオーダの形状修正加工システムの開発
- 超洗浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第1報) : シリコン表面の平坦化及び評価
- 超平滑・高精度表面形成プロセスのモデリングとシミュレーション (特集 ナノ加工・ナノ計測)
- 26aPS-6 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
- 25aPS-38 電子系トータルエネルギー汎関数の最小化
- 25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
- EEM(Elastic Emission Machining)の基礎研究(第2報) : 応力場から見た格子欠陥の発生, 増殖の可能性
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工法 : 流体中の粉末の挙動と加工特性
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工法 : 流体の挙動解析と膜厚分布
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工法
- 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25a-T-7 光散乱トポグラフィーによるき裂先端の観察
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- EEM(Elastic Emission Machining)に関する研究 : 加工液中の溶存酸素がSiウエハ表面に与える影響
- EEM(Elastic Emission Machining) 加工システムの超清浄化
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 金属窒化物セラミックスの薄膜成長過程の第一原理シミュレーション
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 8a-YJ-8 GGAを用いた実空間差分電子状態計算II
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発
- 半無限表面の電子状態の計算とそれに基づく光反射率スペクトルの解析
- 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発
- 固体表面間の相互作用力に関する研究(第1報) : 界面エネルギーの原子論的評価
- 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
- 31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
- 28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
- 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
- 28pPSB-52 金原子細線の電気伝導特性
- 20aWD-2 金原子細線の電気伝導
- 20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 25pWD-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の決定 其の弐
- 24pPSA-29 スラブモデルを用いない半無限系における表面電子状態計算手法の開発
- 24aPS-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の法定
- 19pPSB-20 半無限モデルを用いたシリコン表面電子状態計算
- 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
- ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
- STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)
- 28pPSB-49 第一原理計算によるナノチューブの電気伝導特性の予測
- 6pPSB-55 ハロゲンガスを用いたSi表面のプラズマエッチングにおける第一原理分子動力学シミュレーション : Oラジカルによるハロゲン生成促進効果の解析(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-62 第一原理計算による電界下でのナノ構造と電気伝導(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSP-12 リチウム内包フラーレンの物性研究(表面ナノ構造量子物性,領域9)
- 6pPSB-61 金原子細線と電極構造に関わる電気伝導特性(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-47 EEM (Elastic Emission Macining)における表面原子除去能率の考察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-10 金細線の電気伝導特性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))