岡田 浩巳 | 阪大・工

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• 岡田 浩巳

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• 岡田 浩巳

  シリコンテクノロジー(株)

• 広瀬 喜久治

  阪大工

• 広瀬 喜久治

  大阪大学大学院工学研究科

• 稲垣 耕司

  阪大工

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院

• 遠藤 勝義

  阪大工

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 稲垣 耕司

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 森 勇蔵

  阪大工

• 奥西 亮介

  阪大工

• 岡田 浩巳

  科学技術振興事業団

• 中野 雅美

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 和久

  阪大工

• 森 勇藏

  阪大工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 後藤 英和

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 森 勇蔵

  大阪大学大学院工学研究科

• 大橋 和朗

  阪大工

• 小野 倫也

  阪大工

• 杉山 和久

  高知高専

• 後藤 英和

  阪大院工

• 広瀬 喜久治

  阪大・工・精密

• 藤本 義隆

  東工大理

• 岡田 浩巳

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル応用工学専攻

• 石川 俊夫

  科学技術振興事業団

• 若狭 加奈子

  阪大・工

• 小野 倫也

  阪大・工

• 後藤 英和

  阪大・工

• 杉山 和彦

  高知高専

• 藤本 義隆

  阪大工

• 堤 健一

  科学技術振興事業団

• 稲垣 耕司

  阪大・工

• 大橋 和朗

  阪大・工

• 森 勇藏

  阪大・工

• 広瀬 喜久治

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著作論文

• 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
• STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
• 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
• ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
• STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
• STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)
• 25pPSB-52 金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理分子動力学シミュレーション(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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