岡田 浩巳 | シリコンテクノロジー(株)

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• 岡田 浩巳

  阪大工

• 岡田 浩巳

  シリコンテクノロジー(株)

• 岡田 浩巳

  阪大・工

• 広瀬 喜久治

  阪大工

• 広瀬 喜久治

  大阪大学大学院工学研究科

• 稲垣 耕司

  阪大工

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院

• 遠藤 勝義

  阪大工

• 遠藤 勝義

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇藏

  大阪大学大学院 工学研究科

• 稲垣 耕司

  大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻

• 森 勇蔵

  阪大工

• 奥西 亮介

  阪大工

• 岡田 浩巳

  科学技術振興事業団

• 中野 雅美

  大阪大学大学院工学研究科

• 杉山 和久

  阪大工

• 森 勇藏

  阪大工

• 森 勇藏

  大阪大学大学院工学研究科

• 後藤 英和

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 森 勇蔵

  大阪大学大学院工学研究科

• 小野 倫也

  阪大工

• 杉山 和久

  高知高専

• 後藤 英和

  阪大院工

• 藤本 義隆

  東工大理

• 岡田 浩巳

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル応用工学専攻

• 石川 俊夫

  科学技術振興事業団

• 杉山 和彦

  高知高専

• 藤本 義隆

  阪大工

• 堤 健一

  科学技術振興事業団

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著作論文

• 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
• STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
• 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
• ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
• STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
• STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)

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