ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-09-01
著者
-
広瀬 喜久治
阪大工
-
小野 倫也
阪大工
-
稲垣 耕司
阪大工
-
稲垣 耕司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
森 勇蔵
阪大工
-
遠藤 勝義
阪大工
-
岡田 浩巳
阪大工
-
奥西 亮介
阪大工
-
杉山 和彦
高知高専
-
岡田 浩巳
シリコンテクノロジー(株)
-
岡田 浩巳
阪大・工
関連論文
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究 : 最適加工条件の探索
- 超清浄EEM (Elastic Emission Machining)加工システムの開発:加工表面の原子レベルでの評価
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報) : 原子像による加工表面の評価
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Maching)加工機構の解明:加工物表面構造に対する反応性の依存性
- 大気中で使用する時のHe-Neレーザ光の特性
- 28pPSB-61 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析
- 20aTF-1 表面原子エッチングプロセスにおけるバックボンド弱体化機構のBond order DOSによる解析
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- 数値制御EEM(Elastic Emission Machining)加工システムの開発 : nmオーダでの加工精度の評価
- 29pPSA-39 水素終端化Si表面とZrO_2微粒子の水中での接触過程の第一原理計算による解析
- 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
- 24aPS-49 第一原理分子動力学によるElastic Emission Machiningにおける表面反応の材料依存性の解析I : Si(001)表面とSiO_2, ZrO_2, TiO_2微粒子間の反応
- 25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
- 28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machinig)加工機構の解明 : Si(001)表面とSiO_2微粒子の結合過程および分離過程の解明
- 25a-T-7 光散乱トポグラフィーによるき裂先端の観察
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
- EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第3報) : 形状修正加工システムの高精度化
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
- 31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
- 28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
- 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
- 28pPSB-52 金原子細線の電気伝導特性
- 20aWD-2 金原子細線の電気伝導
- 20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 25pWD-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の決定 其の弐
- 24pPSA-29 スラブモデルを用いない半無限系における表面電子状態計算手法の開発
- 24aPS-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の法定
- 19pPSB-20 半無限モデルを用いたシリコン表面電子状態計算
- 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
- ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
- STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-11 NH_4F処理したSi(111)表面の光学特性(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-11 光反射スペクトルを用いたSi結晶表面評価法の開発 : 超清浄測定装置の開発(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 光反射率スペクトルによるSiウエハ表面評価法の開発 : 装置の開発と加工表面評価
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)
- 27pYD-11 螺旋周期境界条件を用いた実空間差分法による第一原理電子状態計算
- 28pPSB-49 第一原理計算によるナノチューブの電気伝導特性の予測
- 27aXK-11 Ge(001)表面欠陥の散乱ポテンシャルの第一原理計算(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 6pPSB-55 ハロゲンガスを用いたSi表面のプラズマエッチングにおける第一原理分子動力学シミュレーション : Oラジカルによるハロゲン生成促進効果の解析(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-62 第一原理計算による電界下でのナノ構造と電気伝導(表面界面結晶成長,領域9)
- 7aSP-12 リチウム内包フラーレンの物性研究(表面ナノ構造量子物性,領域9)
- 6pPSB-61 金原子細線と電極構造に関わる電気伝導特性(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-52 金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理分子動力学シミュレーション(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-47 EEM (Elastic Emission Macining)における表面原子除去能率の考察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-10 金細線の電気伝導特性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))