27aXK-11 Ge(001)表面欠陥の散乱ポテンシャルの第一原理計算(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
28pPSB-61 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析
-
25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
-
29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
-
24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
-
28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
-
20aWD-2 金原子細線の電気伝導
-
20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
-
ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
-
28pPSB-49 第一原理計算によるナノチューブの電気伝導特性の予測
-
27aXK-11 Ge(001)表面欠陥の散乱ポテンシャルの第一原理計算(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
6pPSB-55 ハロゲンガスを用いたSi表面のプラズマエッチングにおける第一原理分子動力学シミュレーション : Oラジカルによるハロゲン生成促進効果の解析(表面界面結晶成長,領域9)
-
7aSP-12 リチウム内包フラーレンの物性研究(表面ナノ構造量子物性,領域9)
-
27aYF-10 金細線の電気伝導特性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク