電解めっきを用いた ULSI 多層 Ag 配線

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概要

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• 下地バリアメタル層上に給電層となるCuを成膜したTi/TiN/Cu積層膜上に, シアン系めっき液によるパルス電解Agめっき成膜を行い, 比抵抗が2.0μΩcm以下のAg膜を得た。膜中不純物量が少なく比抵抗の低いAg膜では, 350℃の熱処理により2μm程度まで結晶粒が粗大化した。Ag膜の結晶配向性は下地TiN/Cu膜の結晶配向性に依存し, 熱処理により(111)優先配向が強くなった。熱処理時に局所的な膜はがれが発生した。Agめっき初期のCu溶出によりCu/Ag界面に空隙が生まれ, この空隙に残った水分が熱処理時に多量に放出されたことが膜はがれの発生要因と考えられる。界面の密着性向上のためには電気化学的に貴な給電層が望ましい。最後に, LSI多層配線上層のグローバル配線を想定したAgダマシン配線を試作した。

• 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
• 2002-05-01

著者

• 井上 裕章

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所

• 辻村 学

  株式会社荏原製作所精密・電子事業本部

• 宮田 雅弘

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部

• 江澤 弘和

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 江澤 弘和

  株式会社東芝セミコンダクター社フロセス技術推進センター半導体フロセス開発第五部

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