Sn-Ag半田バンプ形成プロセス

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概要

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• 高性能多機能システムLSIのFlip Chipパッケージに不可欠であり、今後の環境負荷低減に対応した、Sn-Ag共晶半田Bump形成の量産プロセスを確率した。厚膜ネガレジストを電解めっきのマスクとして用い、2-step電解めっきプロセスによりSn-Ag合金組成の制御をAg/Sn積層膜の膜厚比制御に置き換え、Ag-Sn積層膜をリフロー熱処理することにより合金組成とBump高さのウエハ面内均一性を両立させることが可能となった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-11-30

著者

• 宮田 雅弘

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体プロセス開発第5部

• 江澤 弘和

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 宮田 雅弘

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 江澤 弘和

  株式会社東芝セミコンダクター社フロセス技術推進センター半導体フロセス開発第五部

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