伊藤 幹記 | 豊橋技術科学大学
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概要
関連著者
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伊藤 幹記
豊橋技術科学大学
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Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
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石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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石田 誠
豊橋技術科学大学
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岡田 浩
豊橋技術科学大学
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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畠中 奨
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
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Ishida M
Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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河野 達矢
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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岡田 貴行
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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藤盛 敬雄
豊橋技術科学大学
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澤田 和明
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
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岡田 長也
本田電子株式会社
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岡田 長也
本多電子
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赤井 大輔
豊橋技術科学大学VBL
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樋口 和樹
本多電子
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岡田 長也
本多電子株式会社
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Ishida M
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
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Ishida Masayoshi
Institute Of Engineering Mechanics And Systems University Of Tsukuba
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石田 誠
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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石田 誠
豊橋技科大
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澤田 和明
豊橋技科大
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神社 生朗
豊橋技術科学大学
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澤田 和明
豊橋技科大 電気・電子工学系
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伊藤 幹記
豊橋技科大電気電子工学
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大隣 樹人
豊橋技科大電気電子工学
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赤井 大輔
豊橋技科大電気電子工学
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
著作論文
- エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型超音波トランスデューサアレイの製作
- 1-05P-35 エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型MEMSトランスデューサアレイの作製(ポスターセッション 1)
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシヤルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
- Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
- 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))