1-05P-35 エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型MEMSトランスデューサアレイの作製(ポスターセッション 1)
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概要
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- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 2007-11-14
著者
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
岡田 長也
本田電子株式会社
-
岡田 長也
本多電子
-
石田 誠
豊橋技科大
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学VBL
-
澤田 和明
豊橋技科大
-
伊藤 幹記
豊橋技術科学大学
-
樋口 和樹
本多電子
-
澤田 和明
豊橋技科大 電気・電子工学系
-
伊藤 幹記
豊橋技科大電気電子工学
-
大隣 樹人
豊橋技科大電気電子工学
-
赤井 大輔
豊橋技科大電気電子工学
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
岡田 長也
本多電子株式会社
-
Ishida M
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
Ishida Masayoshi
Institute Of Engineering Mechanics And Systems University Of Tsukuba
-
Ishida M
Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba
-
石田 誠
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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