赤井 大輔 | 豊橋技術科学大学VBL

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概要

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関連著者

• 赤井 大輔

  豊橋技術科学大学VBL

• 赤井 大輔

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学

• Ishida M

  Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• Sawada K

  Shizuoka Univ. Hamamatsu

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 平林 京介

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 余川 三香子

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 岡田 長也

  本多電子株式会社

• Ishida M

  Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology

• 澤田 和明

  Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology

• Ishida Masayoshi

  Institute Of Engineering Mechanics And Systems University Of Tsukuba

• Ishida M

  Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 尾崎 勝弥

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 西村 将人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 鈴木 啓佑

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 沼田 泰幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 鈴木 啓佑

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 西村 将人

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系

• 岡田 長也

  本田電子株式会社

• 岡田 長也

  本多電子

• 伊藤 幹記

  豊橋技術科学大学

• 樋口 和樹

  本多電子

• 村上 健介

  日本セラミック

• 村上 健介

  日本セラミック株式会社研究所

• 山田 哲也

  日本セラミック株式会社 八東研究所

• 谷口 義晴

  日本セラミック株式会社 八東研究所

• 村重 伸一

  日本セラミック株式会社 八東研究所

• 中山 直人

  日本セラミック株式会社 八東研究所

• 谷口 義晴

  日本セラミック

• 村重 伸一

  日本セラミック株式会社研究所

• 山田 哲也

  日本セラミック 八東研

• 村重 伸一

  日本セラミック 八東研

• 中山 直人

  日本セラミック 八東研

• 池辺 将之

  北海道大学 大学院 情報科学研究科

• 大竹 浩

  NHK 放送技術研究所

• 須川 成利

  東北大学大学院工学研究科

• 浜本 隆之

  東京理科大学院工学研究科電気工学専攻

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 高柳 功

  アプティナジャパン

• 高橋 秀和

  キヤノン株式会社

• 黒田 理人

  東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻

• 高橋 秀和

  キヤノン株式会社デバイス開発本部

• 河津 直樹

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 菅井 隆博

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 澤田 和明

  豊橋技科大

• 神社 生朗

  豊橋技術科学大学

• 須川 成利

  東北大学 大学院工学研究科

• 澤田 和明

  豊橋技科大 電気・電子工学系

• 伊藤 幹記

  豊橋技科大電気電子工学

• 大隣 樹人

  豊橋技科大電気電子工学

• 赤井 大輔

  豊橋技科大電気電子工学

• 黒田 理人

  東北大学大学院工学研究科

• 浜本 隆之

  東京理科大学

• 小室 孝

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 香川 景一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 浜本 隆之

  東京理科大学大学院

• 石田 誠

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)

• 赤井 大輔

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系:豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所(EIIRIS)

• 香川 景一郎

  静岡大学電子工学研究所ナノビジョン研究部門

• 鈴木 秀征

  浜松ホトニクス株式会社電子管事業部

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著作論文

• シリコン基板上のエピタキシャル強誘電体薄膜と焦電型赤外線センサアレイへの応用(第6回赤外放射応用関連学会等年会)
• エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型超音波トランスデューサアレイの製作
• 1-05P-35 エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型MEMSトランスデューサアレイの作製(ポスターセッション 1)
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγAl_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγ-A1_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Vibration Analysis and Transmission Characteristics of Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers Using Epitaxial Pb(Zr,Ti)O Thin Films on γ-AlO/Si Substrate (Special Issue : Applied Physics on Materials Research)
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (第12回)情報センシングの研究開発動向(映像情報メディア年報2013シリーズ)

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