γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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本研究では、エピタキシャルPZT/SrRuO_3/Pt/γ-Al_2O_3/Si構造を用いた8×8chの2DpMUTsアレイを作製し、超音波の受信実験および送信実験を行った。受信信号のばらつきの平均化と送信音圧の向上のため1chは42個の振動子とし、医療診断装置で一般的に用いられるMHz帯を念頭に1素子の直径は100μmで作製した。作製したデバイスにおいて超音波の伝搬速度の違いを使用した文字のイメージングに成功した。また、1.2MHzでの超音波の送信に成功した。これらの結果から、送受信可能な超音波トランスデューサアレイの実現が期待できる。
- 2012-05-10
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学VBL
-
岡田 長也
本多電子株式会社
-
Ishida M
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
尾崎 勝弥
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
西村 将人
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
鈴木 啓佑
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
沼田 泰幸
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
鈴木 啓佑
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
-
西村 将人
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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