エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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Si基板上にCVD法によりエビタキシャル成長させたγAl_20_3薄膜を用いて,MFIS構造およびMFMIS構造の作製を行った.MFIS構造においては,γ-Al_2O_3膜上へSol-Gel法により(001)に配向した強誘電体薄膜(PZT)が形成でき,CV測定において2.6Vのメモリウィンドウが得られた.さらにγ-Al_20_3膜が構造形成時のSi基板と強誘電体材料との反応を防ぐバリア層となっていることが確認できた.また,Ptを下部電極としたMFMIS構造を作製しP-Eヒステリシスの測定を行ったところ,γ-Al_2O_3を絶縁層として用いたサンプルで飽和分極値(Pr)14.3μC/cm^2,抗電界(Ec)50kv/cmの値が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学VBL
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
平林 京介
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
余川 三香子
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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