Vibration Analysis and Transmission Characteristics of Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers Using Epitaxial Pb(Zr,Ti)O Thin Films on γ-AlO/Si Substrate (Special Issue : Applied Physics on Materials Research)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 赤井 大輔

  豊橋技術科学大学VBL

関連論文

• シリコン基板上のエピタキシャル強誘電体薄膜と焦電型赤外線センサアレイへの応用(第6回赤外放射応用関連学会等年会)
• エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型超音波トランスデューサアレイの製作
• 1-05P-35 エピタキシャルPZT薄膜を用いた圧電型MEMSトランスデューサアレイの作製(ポスターセッション 1)
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγAl_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγ-Al2O3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を利用した焦電型赤外線センサ
• エピタキシャルγ-A1_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_2O_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• エピタキシャルγ-Al_20_3/Si基板上への強誘電体薄膜形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Vibration Analysis and Transmission Characteristics of Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers Using Epitaxial Pb(Zr,Ti)O Thin Films on γ-AlO/Si Substrate (Special Issue : Applied Physics on Materials Research)
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (第12回)情報センシングの研究開発動向(映像情報メディア年報2013シリーズ)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク