アモルファスシリコンAPDを用いた広ダイナミックレンジ・イメージセンサ用回路の設計(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)

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概要

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• イメージセンサの問題のひとつに低照度側へのダイナミックレンジ(DR)の狭さがある.本稿では,CMOSイメージセンサのDRを低照度側へ広げる方法として動作電圧の違う2つのアモルファスシリコン・アバランシェフォトダイオード(a-Si:H APD)を1画素中に用いる方法を提案する.ここでは,入射光の強さによって低照度用APDと高照度用APDの切り替えを行う読み出し回路の回路設計,シミュレーション,レイアウト設計および,広DRイメージセンサ用APDの動作について報告する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-07-20

著者

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 宮澤 徹

  豊橋技術科学大学

• 中澤 達夫

  長野工業高等専門学校電子情報工学科

• 中澤 達夫

  長野工業高等専門学校

• 中澤 達夫

  国立長野高専電子情報工学科

• 山内 仁

  長野工業高等専門学校

• 秋山 正弘

  長野工業高等専門学校

• 重倉 崇良

  長野工業高等専門学校

• 上倉 龍行

  長野工業高等専門学校

• 宮崎 祐輔

  長野工業高等専門学校

• 原田 寛治

  長野工業高等専門学校

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 秋山 正弘

  電気電子工学科

• 原田 寛治

  津山高専電気電子工学科

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