Fabrication of temperature sensor using thermopile based on silicon on insulator (SOI) structure (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
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概要
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This paper presents a temperature measurable contact and non-contact type thermopile based on SOI structure. The sensor was designed with n-type and p-type single crystal silicon strips of 17 pairs and selective absorption film (SAP) that consists of aluminum and silicon dioxide. We have fabricated the thermopile based on SOI structure using a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) process. Measured sensitivity of the sensor was 0.19mV/℃, when the human skin directly touched on the sensor. In the non-contact measurement of the sensor as varying distance between the lamp (NEC, EFD10EL/8) and sensor, the maximum electromotive force of the sensor was -1.55mV at 2mm distance.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-18
著者
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
高尾 英邦
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
ISHIDA Makoto
Dept. of Electrical & Electronic Eng., Toyohashi Univ. of Technology
-
Lee Wang
Department Of Electrical And Electronic Engineering Toyohashi University Of Technology
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
Ishida Masayoshi
Institute Of Engineering Mechanics And Systems University Of Tsukuba
-
Ishida M
Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba
-
LEE Wang-Hoon
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
LEE Young-Tae
Dept. of Information Technology and Electronics Education, An-dong National University
-
TAKAO Hidekuni
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
SAWADA Kazuaki
Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology
-
Lee Young-tae
Dept. Of Information Technology And Electronics Education An-dong National University
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