安藤 隆男 | 静岡大学
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概要
関連著者
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安藤 隆男
静岡大学
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
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安藤 隆男
財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部
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澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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真鍋 洋明
静岡大学電子工学研究所
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松村 暢久
静岡大学 電子工学研究所
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増田 剛
静岡大学 電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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奥村 佳弘
ミノルタ株式会社研究開発本部
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安藤 隆男
静岡大
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澤田 和明
静岡大
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澤田 和明
静岡大学・電子工学研究所
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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上平 員丈
神奈川工科大学
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小宮 一三
神奈川工科大学
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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増田 剛
静岡大学電子工学研究所
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松村 暢久
静岡大学電子工学研究所
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石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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石田 誠
豊橋技術科学大学
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上平 員丈
Nttサイバースペース研究所
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奥村 佳弘
静岡大学電子工学研究所
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福井 一貴
静岡大
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瀧口 吉郎
NHK放送技術研究所
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大竹 浩
NHK放送技術研究所
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井上 哲理
神奈川工科大学情報ネットワーク工学科
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倉重 光宏
松下電器産業株式会社
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井上 哲理
神奈川工科大学
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井上 哲理
神奈川工科大
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村山 登
株式会社リコー研究開発本部
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上平 員丈
NTT境界領域研究所
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小杉 美津男
NHK放送技術研究所
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寺西 信一
NECシリコンシステム研究所
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小杉 美津男
NHK福岡放送局
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並木 貴之
理科大
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倉重 光宏
高知工科大学
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倉重 光宏
松下電器産業(株)東京支社
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奥村 佳弘
静岡大学・電子工学研究所
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木下 治久
静岡大学電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学 電子工学研究所 画像電子装置部門
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寺西 信一
松下電器産業株式会社
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安藤 隆男
静岡大学 電子工学研究所
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松村 暢久
静岡大
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澤田 和明
静岡大学 電子工学研究所
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赤田 信哉
静岡大学電子工学研究所
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寺西 信一
松下電子工業
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福井 一貴
静岡大学電子工学研究所
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赤田 信哉
静岡大
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谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
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阿部 正英
NHK放送技術研究所
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大竹 浩
NHK 放送技術研究所
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中村 慶久
東北大学電気通信研究所
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坂内 正夫
東京大学生産技術研究所
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山崎 順一
NHK放送技術局
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酒井 善則
東京工業大学
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佐藤 史郎
NHK放送技術研究所
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上平 員丈
神奈川工科大学ヒューマンメディア研究センタ
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佐野 俊一
東芝
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坂内 正夫
東京大学 生産技術研究所
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中村 慶久
東北大学
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大越 孝敬
東京大学先端科学技術研究センター
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河合 敏昭
浜松ホトニクス
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増田 敏
静岡大学電子工学研究所
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内池 平樹
広島大
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内池 平樹
広島大学 工学部 第二類(電気系)電子素子工学研究室
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河合 敏昭
浜ホト
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寺西 信一
松下電子工業株式会社
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安藤 隆男
神奈川工科大学 電気電子工学科
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寺西 信一
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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村山 登
東京工芸大学 大学院メディアアート研究科
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上平 員丈
NTT入出力システム研究所
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河村 達郎
株式会社日立製作所電子デバイス事業部
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
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佐野 俊一
株式会社東芝機能部品研究所
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羽島 光俊
東京大学
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外山 昇
NHK
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永野 俊
法政大学
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阿部 正英
広島国際大学社会環境科学部
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小杉 美津男
NHK
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村山 登
東京工芸大学
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山崎 順一
Nhk 放送技術研究所
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並木 貴之
東京理科大学理学部
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平野 善之
NHK放送技術研究所
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外山 昇
Nhk放送技術研究所
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谷岡 健吉
Nhk
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畑中 義式
静岡大学・電子工学研究所
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安藤 隆男
静岡大学・電子工学研究所
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寺西 信一
日本電気株式会社
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佐藤 賢司
静岡大学電子工学研究所
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半戸 琢也
静岡大学電子工学研究所
-
鈴木 勝実
静岡大学電子工学研究所
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高橋 遵
静岡大学電子工学研究所
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Jayatissa A.H.
静岡大学電子工学研究所
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樫山 俊二
カシオ計算機
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助川 徳三
静岡大学
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河合 敏昭
浜松テレビ
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三ッ林 武
静岡大学電子工学研究所
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神戸 秀夫
ソニー株式会社
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竹内 寿典
静岡大学電子工学研究所
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大越 孝敬
東京大学
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上平 員丈
Nttサイバースペース
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樫山 俊二
カシオ計算機 八王子研
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田中 章雅
静岡大学電子工学研究所
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神戸 秀夫
静岡大学電子工学研究所
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趙 明剛
静岡大学電子工学研究所
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村山 登
株式会社リコー
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樫山 俊二
静岡大学
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瀧口 吉郎
NHK技術局
著作論文
- 次世代画像入力技術(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(5.次世代画像入力)(映像情報メディア年報)
- 5.次世代画像入力(映像情報メディア年報)
- 11.次世代画像入力(テレビジョン年報)
- 次世代ディジタルカメラの技術動向
- 21世紀への夢(テレビジョン学会創立40周年記念パネル討論会)
- 4)Au/p型α-SiC : H/α-Si : H/n型C-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型C-Si不純物濃度依存性(情報センシング研究会)
- Au/p型a-SiC : H/a-Si : H/n型c-Si構造フォトダイオードにおける光電流・暗電流のn型c-Si不純物濃度依存性
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 5)オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用(情報入力研究会)
- オプティカルフロー検出の精度向上とデバイスへの応用
- 10-7 勾配法によるオプティカルフロー検出一手法
- 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
- 7)電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 電界放出型光検出素子の広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 電界放出微小エミッタを用いた高感度光検出素子 : 広ダイナミックレンジ化
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- イメ-ジセンサへの応用を目指した傾斜構造を持つアバランシェ増幅型光電変換膜 (特集 傾斜機能材料)
- 8)RFスパッタによるIn_2O_3透明電極MOSダイオードとその分光感度(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- 5-4 アモルファスシリコン光導電膜の光電流増倍
- 2-4 a-Si : H p-i-n(SI sub.)アバランシェフォトダイオードの光電流増倍および暗電流発生機構の検討
- 2-3 a-Si傾斜超格子フォトダイオードの光電流特性
- 2-2 電界放出型微小エミッタを用いた高感度光電面の製作
- 3)α-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍(情報入力研究会)
- a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 5-2 a-Si : H傾斜超格子フォトダイオードの光電流増倍
- 電界放出微小電子源型高感度光センサの広ダイナミックレンジ化(■固体撮像とその関連技術)
- バンドオフセットを持つa-Si:H系傾斜薄膜を用いたアバランシェ増幅型光センサ
- 12-4 5ミクロン以上の赤外光を検出可能な電子放出デバイスの研究
- ディジタルカメラに関連した画像入力技術の動向
- 5.撮像・センシング技術の21世紀への期待と課題(20世紀の撮像・センシング技術と21世紀への期待と課題)
- a-Si : Hアバランシェpinフォトダイオードにおける光電流増倍の温度依存性
- 5)pn接合を有するフィールドエミッタの光応答(情報入力研究会)
- pn接合を有するフィールドエミッタの光応答
- 5-3 アバランシェフォトダイオード(APD)を使用した撮像素子の画素構成